Справочник транзисторов. UMG9N

 

Биполярный транзистор UMG9N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UMG9N
   Маркировка: G9
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SC88A SOT353
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

UMG9N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  rohm
 umg9n fmg9a g9 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMG9N

TransistorsEmitter common (dual digital transistors)UMG9N / FMG9AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTC114E in a UMT or SMTpackage.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistor(Built-in resistor type)The following characteristics apply toboth DTr1 and DTr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)(96-4

 ..2. Size:67K  rohm
 emg9 umg9n fmg9a umg9n.pdf pdf_icon

UMG9N

EMG9 / UMG9N / FMG9A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMG9 / UMG9N / FMG9A Features External dimensions (Unit : mm) 1) Two DTC114E in a EMT or UMT or SMT package. EMG92) Mounting cost and area can be cut in half. (4) (3)(2)(5) (1)1.21.6 Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor Each lead has same dimensionsROHM : EMT5(Built

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: HSBD139 | FJNS3211R | BD355C | 2N6287 | RN1963CT | 2N3253S

 

 
Back to Top

 


 
.