Биполярный транзистор UMG9N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMG9N
Маркировка: G9
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SC88A SOT353
UMG9N Datasheet (PDF)
umg9n fmg9a g9 sot23-5 sot353.pdf
TransistorsEmitter common (dual digital transistors)UMG9N / FMG9AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTC114E in a UMT or SMTpackage.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistor(Built-in resistor type)The following characteristics apply toboth DTr1 and DTr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)(96-4
emg9 umg9n fmg9a umg9n.pdf
EMG9 / UMG9N / FMG9A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMG9 / UMG9N / FMG9A Features External dimensions (Unit : mm) 1) Two DTC114E in a EMT or UMT or SMT package. EMG92) Mounting cost and area can be cut in half. (4) (3)(2)(5) (1)1.21.6 Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor Each lead has same dimensionsROHM : EMT5(Built
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050