UMG9N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMG9N  📄📄 

Маркировка: G9

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SC88A SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMG9N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMG9N даташит

 ..1. Size:68K  rohm
 umg9n fmg9a g9 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMG9N

Transistors Emitter common (dual digital transistors) UMG9N / FMG9A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTC114E in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor (Built-in resistor type) The following characteristics apply to both DTr1 and DTr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) (96-4

 ..2. Size:67K  rohm
 emg9 umg9n fmg9a umg9n.pdf pdf_icon

UMG9N

EMG9 / UMG9N / FMG9A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMG9 / UMG9N / FMG9A Features External dimensions (Unit mm) 1) Two DTC114E in a EMT or UMT or SMT package. EMG9 2) Mounting cost and area can be cut in half. (4) (3) (2) (5) (1) 1.2 1.6 Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor Each lead has same dimensions ROHM EMT5 (Built

Другие транзисторы: PDTA123ES, UMG1N, UMG2N, UMG3N, UMG4N, UMG5N, UMG6N, UMG8N, D965, UMH10N, UMH11N, UMH1N, UMH2N, UMH3N, UMH4N, UMH5N, UMH6N