UMH3N Todos los transistores

 

UMH3N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMH3N
   Código: H3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SC88 SOT353

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UMH3N

 

UMH3N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  rohm
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UMH3N

EMH3 / UMH3N / IMH3A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH3 / UMH3N / IMH3A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTAK13Ts chips in a EMT or UMT or SMT EMH3 package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3) (5) (2) automatic mounting machines. (6) (1) 1.2 1.6 3) Transistor elements are independent, eliminating interferen

 ..2. Size:50K  rohm
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UMH3N

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH3N / IMH3A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTAK13Ts chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. FStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor The following characteristics

 0.1. Size:1263K  rohm
 emh3fha umh3nfha imh3afra.pdf pdf_icon

UMH3N

EMH3FHA / UMH3NFHA / IMH3AFRA EMH3 / UMH3N / IMH3A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCEO (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R1 4.7kW EMH3 UMH3N EMH3FHA UMH3NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4) (5

 0.2. Size:1222K  rohm
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UMH3N

EMH3FHA / UMH3NFHA / IMH3AFRA EMH3 / UMH3N / IMH3A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCEO (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R1 4.7kW EMH3 UMH3N EMH3FHA UMH3NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4) (5

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History: 2SD1836 | HEPS9149 | 2SC4746

 

 
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