UMH3N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UMH3N
Маркировка: H3
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SC88 SOT353
UMH3N Datasheet (PDF)
emh3 umh3n imh3a umh3n.pdf
EMH3 / UMH3N / IMH3A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH3 / UMH3N / IMH3A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTAK13Ts chips in a EMT or UMT or SMT EMH3 package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3) (5) (2) automatic mounting machines. (6) (1) 1.2 1.6 3) Transistor elements are independent, eliminating interferen
umh3n imh3a h3 sot23-6sot363.pdf
Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH3N / IMH3A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTAK13Ts chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. FStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor The following characteristics
emh3fha umh3nfha imh3afra.pdf
EMH3FHA / UMH3NFHA / IMH3AFRA EMH3 / UMH3N / IMH3A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCEO (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R1 4.7kW EMH3 UMH3N EMH3FHA UMH3NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4) (5
emh3fha umh3nfha.pdf
EMH3FHA / UMH3NFHA / IMH3AFRA EMH3 / UMH3N / IMH3A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCEO (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R1 4.7kW EMH3 UMH3N EMH3FHA UMH3NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4) (5
Другие транзисторы... UMG5N , UMG6N , UMG8N , UMG9N , UMH10N , UMH11N , UMH1N , UMH2N , 2SA1015 , UMH4N , UMH5N , UMH6N , UMH7N , UMH8N , UMH9N , UMS1N , UMS2N .
History: 2SC4854 | 2SA713S
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290





