UMH4N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UMH4N
   Código: H4
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SC88 SOT353

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UMH4N

UMH4N Datasheet (PDF)

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EMH4 / UMH4N / IMH4A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH4 / UMH4N / IMH4A External dimensions (Unit : mm) Features1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMTEMH4package.( ) ( )4 3(5) (2)(6) ( )1 Equivalent circuits1.21pin mark1.6EMH4 / UMH4NIMH4A(3) (2) (1) (4) (5) (6)R1R1ROHM : EMT6 Each lead has same dimensionsR1R1

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(96-448-A114T)

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EMH4 / UMH4N / IMH4AEMH4FHA / UMH4NFHA / IMH4AFRADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCEO50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.)100mA (3) (3) R110kWEMH4 UMH4N EMH4FHA UMH4NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6(4)

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