UMH4N Todos los transistores

 

UMH4N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMH4N
   Código: H4
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SC88 SOT353

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UMH4N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  rohm
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UMH4N

EMH4 / UMH4N / IMH4A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH4 / UMH4N / IMH4A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT EMH4 package. ( ) ( ) 4 3 (5) (2) (6) ( ) 1 Equivalent circuits 1.2 1pin mark 1.6 EMH4 / UMH4N IMH4A (3) (2) (1) (4) (5) (6) R1 R1 ROHM EMT6 Each lead has same dimensions R1 R1

 ..2. Size:48K  rohm
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UMH4N

(96-448-A114T)

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UMH4N

EMH4 / UMH4N / IMH4A EMH4FHA / UMH4NFHA / IMH4AFRA Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCEO 50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMH4 UMH4N EMH4FHA UMH4NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4)

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UMH4N

EMH4 / UMH4N / IMH4A EMH4FHA / UMH4NFHA / IMH4AFRA Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCEO 50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMH4 UMH4N EMH4FHA UMH4NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4)

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History: CHT4033XGP | DTS431M | MJD31CA

 

 
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