UMW1N Todos los transistores

 

UMW1N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMW1N
   Código: W1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SC88A SOT353
 

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UMW1N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  rohm
 umw1n fmw1 w1 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMW1N

TransistorsEmitter common (dual transistors)UMW1N / FMW1FFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two 2SC2412K chips in a UMT orSMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistorThe following characteristics apply toboth Tr1 and Tr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)(96-424-C22)559Transistors UMW1N

 ..2. Size:112K  rohm
 umw1n.pdf pdf_icon

UMW1N

TransistorsEmitter common (dual transistors)UMW1N / FMW1FFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two 2SC2412K chips in a UMT orSMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistorThe following characteristics apply toboth Tr1 and Tr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)(96-424-C22)559Transistors UMW1N

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History: MMDTA06 | MPQ3725 | 2S99 | 2N719 | 2SC2341 | KSC2710Y | A608N

 

 
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