UMW1N Todos los transistores

 

UMW1N Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMW1N

Código: W1

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 180 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SC88A SOT353

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UMW1N datasheet

 ..1. Size:111K  rohm
 umw1n fmw1 w1 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMW1N

Transistors Emitter common (dual transistors) UMW1N / FMW1 FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two 2SC2412K chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor The following characteristics apply to both Tr1 and Tr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) (96-424-C22) 559 Transistors UMW1N

 ..2. Size:112K  rohm
 umw1n.pdf pdf_icon

UMW1N

Transistors Emitter common (dual transistors) UMW1N / FMW1 FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two 2SC2412K chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor The following characteristics apply to both Tr1 and Tr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) (96-424-C22) 559 Transistors UMW1N

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