Справочник транзисторов. UMW1N

 

Биполярный транзистор UMW1N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UMW1N
   Маркировка: W1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SC88A SOT353
 

 Аналог (замена) для UMW1N

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMW1N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  rohm
 umw1n fmw1 w1 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMW1N

TransistorsEmitter common (dual transistors)UMW1N / FMW1FFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two 2SC2412K chips in a UMT orSMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistorThe following characteristics apply toboth Tr1 and Tr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)(96-424-C22)559Transistors UMW1N

 ..2. Size:112K  rohm
 umw1n.pdf pdf_icon

UMW1N

TransistorsEmitter common (dual transistors)UMW1N / FMW1FFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two 2SC2412K chips in a UMT orSMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistorThe following characteristics apply toboth Tr1 and Tr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)(96-424-C22)559Transistors UMW1N

Другие транзисторы... UMT1N , UMT2003 , UMT2N , UMT2OOO , UMT3584 , UMT3585 , UMT3N , UMW10N , 2N2222 , UMW2N , UMW6N , UMW7N , UMW8N , UMX1N , UMX2N , UMX3N , UMX4N .

History: MJB45H11 | BUP42 | 2SD500 | D965A-P | UN5112 | BD244B | DRA2523Y

 

 
Back to Top

 


 
.