UMW1N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMW1N  📄📄 

Маркировка: W1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SC88A SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMW1N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMW1N даташит

 ..1. Size:111K  rohm
 umw1n fmw1 w1 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMW1N

Transistors Emitter common (dual transistors) UMW1N / FMW1 FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two 2SC2412K chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor The following characteristics apply to both Tr1 and Tr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) (96-424-C22) 559 Transistors UMW1N

 ..2. Size:112K  rohm
 umw1n.pdf pdf_icon

UMW1N

Transistors Emitter common (dual transistors) UMW1N / FMW1 FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two 2SC2412K chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor The following characteristics apply to both Tr1 and Tr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) (96-424-C22) 559 Transistors UMW1N

Другие транзисторы: UMT1N, UMT2003, UMT2N, UMT2OOO, UMT3584, UMT3585, UMT3N, UMW10N, C1815, UMW2N, UMW6N, UMW7N, UMW8N, UMX1N, UMX2N, UMX3N, UMX4N