Биполярный транзистор UMW1N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMW1N
Маркировка: W1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SC88A SOT353
UMW1N Datasheet (PDF)
umw1n fmw1 w1 sot23-5 sot353.pdf
TransistorsEmitter common (dual transistors)UMW1N / FMW1FFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two 2SC2412K chips in a UMT orSMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistorThe following characteristics apply toboth Tr1 and Tr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)(96-424-C22)559Transistors UMW1N
umw1n.pdf
TransistorsEmitter common (dual transistors)UMW1N / FMW1FFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two 2SC2412K chips in a UMT orSMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistorThe following characteristics apply toboth Tr1 and Tr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)(96-424-C22)559Transistors UMW1N
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050