UN1117R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN1117R
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 210
Encapsulados: M-A1
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UN1117R datasheet
un1110q un1110r un1110s un1111 un1112 un1113 un1114 un1115q un1116q un1116r un1116s un1117q un1117r un1117s un1118 un1119 un111d un111e un111f un111h un111l.pdf
Transistors with built-in Resistor UNR1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/1119/1110/ 111D/111E/111F/111H/111L (UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/1119/1110/ Unit mm 111D/111E/111F/111H/111L) 2.5 0.1 6.9 0.1 (1.0) (1.5) Silicon PNP epitaxial planar transistor (1.5) R 0.9 For digital circuits R 0.7 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
Otros transistores... UN1114 , UN1115Q , UN1115R , UN1115S , UN1116Q , UN1116R , UN1116S , UN1117Q , A733 , UN1117S , UN1118 , UN1119 , UN111D , UN111E , UN111F , UN111H , UN111L .
History: BD131 | BD130Y | BD131A | MP2369R
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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