Справочник транзисторов. UN1117R

 

Биполярный транзистор UN1117R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UN1117R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
   Корпус транзистора: M-A1
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UN1117R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  panasonic
 un1110q un1110r un1110s un1111 un1112 un1113 un1114 un1115q un1116q un1116r un1116s un1117q un1117r un1117s un1118 un1119 un111d un111e un111f un111h un111l.pdf pdf_icon

UN1117R

Transistors with built-in ResistorUNR1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/1119/1110/111D/111E/111F/111H/111L(UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/1119/1110/Unit: mm111D/111E/111F/111H/111L)2.50.16.90.1(1.0)(1.5)Silicon PNP epitaxial planar transistor(1.5)R 0.9For digital circuitsR 0.7FeaturesCosts can be reduced through downsizing of the equipment and

Другие транзисторы... UN1114 , UN1115Q , UN1115R , UN1115S , UN1116Q , UN1116R , UN1116S , UN1117Q , TIP31C , UN1117S , UN1118 , UN1119 , UN111D , UN111E , UN111F , UN111H , UN111L .

History: BTN6427N3 | BUH415DXI

 

 
Back to Top

 


 
.