UN112Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN112Y
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 3.1 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 4.6 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.67
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: M-A1
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UN112Y
UN112Y Datasheet (PDF)
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Transistors with built-in ResistorUNR1121/1122/1123/1124/112X/112Y(UN1121/1122/1123/1124/112X/112Y)Silicon PNP epitaxial planer transistorUnit: mm2.50.1For digital circuits 6.90.1(1.0)(1.5)(1.5)Features R 0.9 Costs can be reduced through downsizing of the equipment andR 0.7reduction of the number of parts. M type package allowing easy automatic and manual ins
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History: BCW17M | BCW46B
Liste
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