UN112Y Todos los transistores

 

UN112Y Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UN112Y
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 3.1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 4.6 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.67

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: M-A1
 

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UN112Y PDF detailed specifications

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UN112Y

Transistors with built-in Resistor UNR1121/1122/1123/1124/112X/112Y (UN1121/1122/1123/1124/112X/112Y) Silicon PNP epitaxial planer transistor Unit mm 2.5 0.1 For digital circuits 6.9 0.1 (1.0) (1.5) (1.5) Features R 0.9 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and R 0.7 reduction of the number of parts. M type package allowing easy automatic and manual ins... See More ⇒

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