UN411D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UN411D  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 4.7

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO92S

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UN411D datasheet

 9.1. Size:180K  panasonic
 un4110q un4110r un4110s un4111 un4112 un4113 un4114 un4115q un4115r un4115s un4116q un4116r un4116s un4117q un4117r un4117s.pdf pdf_icon

UN411D

Transistors with built-in Resistor UN4111/4112/4113/4114/4115/4116/4117/4118/ 4119/4110/411D/411E/411F/411H/411L Silicon PNP epitaxial planer transistor Unit mm For digital circuits 4.0 0.2 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. New S type package, allowing supply with the radial taping. marking Resistance by Part N

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