UN411D Todos los transistores

 

UN411D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UN411D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 4.7

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO92S
 

 Búsqueda de reemplazo de UN411D

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

Principales características: UN411D

 9.1. Size:180K  panasonic
 un4110q un4110r un4110s un4111 un4112 un4113 un4114 un4115q un4115r un4115s un4116q un4116r un4116s un4117q un4117r un4117s.pdf pdf_icon

UN411D

Transistors with built-in Resistor UN4111/4112/4113/4114/4115/4116/4117/4118/ 4119/4110/411D/411E/411F/411H/411L Silicon PNP epitaxial planer transistor Unit mm For digital circuits 4.0 0.2 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. New S type package, allowing supply with the radial taping. marking Resistance by Part N

Otros transistores... UN4116Q , UN4116R , UN4116S , UN4117Q , UN4117R , UN4117S , UN4118 , UN4119 , A1013 , UN411E , UN411F , UN411H , UN411L , UN4121 , UN4122 , UN4123 , UN4124 .

 

 
Back to Top

 


 
.