UN4123 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN4123
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO92S
Búsqueda de reemplazo de UN4123
UN4123 Datasheet (PDF)
un4121 un4122 un4123 un4124 un412x un412y.pdf

Transistors with built-in ResistorUN4121/4122/4123/4124/412X/412YSilicon PNP epitaxial planer transistorFor digital circuitsUnit: mm4.0 0.2FeaturesCosts can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts.New S type package, allowing supply with the radial taping.Resistance by Part Numbermarking(R1)(R2) 1 2 3UN4121 2.2k 2.2k
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SC1162C | BCW65ALT1 | 2SD1609 | 2SC3152M | 2SC3138 | 2SA1783 | D28A13
History: 2SC1162C | BCW65ALT1 | 2SD1609 | 2SC3152M | 2SC3138 | 2SA1783 | D28A13



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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