UN6123 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN6123 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: MT-1
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de UN6123
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
UN6123 datasheet
un6121 un6122 un6123 un6124 un612x un612y.pdf
Transistors with built-in Resistor UN6121/6122/6123/6124/612X/612Y Silicon PNP epitaxial planer transistor For digital circuits Unit mm 6.9 0.1 1.05 2.5 0.1 Features 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. MT-1 type package, allowing supply with the radial taping. 0.65 max. Resistance by Part N
Otros transistores... UN6119, UN611D, UN611E, UN611F, UN611H, UN611L, UN6121, UN6122, 2SD313, UN6124, UN612X, UN612Y, UN6210Q, UN6210R, UN6210S, UN6211, UN6212
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2N5824 | BFV98N | KRC831E | BFW41 | SK3441 | BFX34T | 2N5772
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194

