UN612X . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN612X
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 0.27 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 5 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.054
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: MT-1
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UN612X
UN612X Datasheet (PDF)
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Transistors with built-in ResistorUN6121/6122/6123/6124/612X/612YSilicon PNP epitaxial planer transistorFor digital circuitsUnit: mm6.9 0.1 1.05 2.5 0.1Features 0.05 (1.45)0.7 4.00.8Costs can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts.MT-1 type package, allowing supply with the radial taping.0.65 max.Resistance by Part N
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Liste
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