UN612X datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: UN612X 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.27 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 5 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.054
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: MT-1
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для UN612X
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
UN612X даташит
un6121 un6122 un6123 un6124 un612x un612y.pdf
Transistors with built-in Resistor UN6121/6122/6123/6124/612X/612Y Silicon PNP epitaxial planer transistor For digital circuits Unit mm 6.9 0.1 1.05 2.5 0.1 Features 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. MT-1 type package, allowing supply with the radial taping. 0.65 max. Resistance by Part N
Другие транзисторы: UN611E, UN611F, UN611H, UN611L, UN6121, UN6122, UN6123, UN6124, 2SC2625, UN612Y, UN6210Q, UN6210R, UN6210S, UN6211, UN6212, UN6213, UN6214
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 2T3158A-2 | KRC122M | RN1702 | RN1210 | BUS23BF | BDX46 | RN2108MFV
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440

