UN612Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN612Y
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 3.1 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 4.6 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.67
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: MT-1
Búsqueda de reemplazo de UN612Y
UN612Y Datasheet (PDF)
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Transistors with built-in ResistorUN6121/6122/6123/6124/612X/612YSilicon PNP epitaxial planer transistorFor digital circuitsUnit: mm6.9 0.1 1.05 2.5 0.1Features 0.05 (1.45)0.7 4.00.8Costs can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts.MT-1 type package, allowing supply with the radial taping.0.65 max.Resistance by Part N
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History: D45C7 | PDTD123TS | 2SC4847 | 2SC979R | 2N5210 | CD96 | DDTC122LE
History: D45C7 | PDTD123TS | 2SC4847 | 2SC979R | 2N5210 | CD96 | DDTC122LE



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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