UN612Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN612Y
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 3.1 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 4.6 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.67
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: MT-1
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UN612Y
UN612Y Datasheet (PDF)
un6121 un6122 un6123 un6124 un612x un612y.pdf
Transistors with built-in Resistor UN6121/6122/6123/6124/612X/612Y Silicon PNP epitaxial planer transistor For digital circuits Unit mm 6.9 0.1 1.05 2.5 0.1 Features 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. MT-1 type package, allowing supply with the radial taping. 0.65 max. Resistance by Part N
Otros transistores... UN611F , UN611H , UN611L , UN6121 , UN6122 , UN6123 , UN6124 , UN612X , SS8050 , UN6210Q , UN6210R , UN6210S , UN6211 , UN6212 , UN6213 , UN6214 , UN6215Q .
History: BD265B
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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