2N536 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N536

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.085 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO23

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2N536 datasheet

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2N536

2N5366 PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifiers applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 68. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VCBO Collector-Base Voltage 40 V VEBO Emitter-Base

 0.2. Size:218K  no
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