2N536 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N536
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.085 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO23
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2N536 Datasheet (PDF)
2n5366.pdf

2N5366PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifiers applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 68.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. Base Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 40 VVCBO Collector-Base Voltage 40 VVEBO Emitter-Base
Otros transistores... 2N5350 , 2N5351 , 2N5354 , 2N5355 , 2N5356 , 2N5357 , 2N535A , 2N535B , BD140 , 2N5365 , 2N5366 , 2N5367 , 2N5368 , 2N5369 , 2N537 , 2N5370 , 2N5371 .
History: SBW3320W | 2SC395 | TSA884CX | 41500 | 3CG9012 | KRA730E | 40309
History: SBW3320W | 2SC395 | TSA884CX | 41500 | 3CG9012 | KRA730E | 40309



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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