2N536. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N536

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.085 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO23

 Аналоги (замена) для 2N536

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N536 даташит

 0.1. Size:60K  fairchild semi
 2n5366.pdf pdf_icon

2N536

2N5366 PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifiers applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 68. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VCBO Collector-Base Voltage 40 V VEBO Emitter-Base

 0.2. Size:218K  no
 2n5365.pdf pdf_icon

2N536

 0.3. Size:43K  microelectronics
 2n5367.pdf pdf_icon

2N536

 0.4. Size:86K  microelectronics
 2n5368-69 2n5370-75.pdf pdf_icon

2N536

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5350, 2N5351, 2N5354, 2N5355, 2N5356, 2N5357, 2N535A, 2N535B, S8050, 2N5365, 2N5366, 2N5367, 2N5368, 2N5369, 2N537, 2N5370, 2N5371