2N536 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2N536 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N536
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.085 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO23

Аналоги (замена) для 2N536

2N536 Datasheet (PDF)

0.1. Size:60K fairchild semi
2n5366.pdf

2N5366PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifiers applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 68.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. Base Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 40 VVCBO Collector-Base Voltage 40 VVEBO Emitter-Base

0.2. Size:218K no
2n5365.pdf