V221 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: V221
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO72
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V221 datasheet
fc8v22150l.pdf
Doc No. TT4-EA-14832 Revision. 1 Product Standards MOS FET FC8V22150L FC8V22150L Gate resistor installed Dual N-channel MOS FET Unit mm 2.9 For lithium-ion secondary battery protection circuits 0.3 0.16 8 7 6 5 Features Low drain-source ON resistance Rds(on) typ. = 9.0 m VGS = 4.5 V) Built-in gate resistor Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0
Otros transistores... UPTB520 , UPTB530 , UPTB540 , UPTB550 , V118 , V129 , V152A , V162A , BC547B , V405A , V405AL , V410A , V435 , V741 , V765 , W21 , WT4301-06 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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