V221 - описание и поиск аналогов

 

V221. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: V221

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для V221

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

V221 даташит

 0.1. Size:281K  panasonic
 fc8v22150l.pdf pdf_icon

V221

Doc No. TT4-EA-14832 Revision. 1 Product Standards MOS FET FC8V22150L FC8V22150L Gate resistor installed Dual N-channel MOS FET Unit mm 2.9 For lithium-ion secondary battery protection circuits 0.3 0.16 8 7 6 5 Features Low drain-source ON resistance Rds(on) typ. = 9.0 m VGS = 4.5 V) Built-in gate resistor Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0

Другие транзисторы: UPTB520, UPTB530, UPTB540, UPTB550, V118, V129, V152A, V162A, BC547B, V405A, V405AL, V410A, V435, V741, V765, W21, WT4301-06

 

 

 

 

↑ Back to Top
.