XB112 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: XB112
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.09 W
   Tensión colector-base (Vcb): 16 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 55 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO1
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros