XB112 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XB112
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.09 W
Tensión colector-base (Vcb): 16 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Temperatura operativa máxima (Tj): 55 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO1
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XB112 datasheet
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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