XB112. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: XB112
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.09 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 55 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO1
Аналоги (замена) для XB112
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
XB112 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: XA143, XA151, XA152, XA161, XA162, XB102, XB103, XB104, BD140, XB113, XB114, XB121, XC101, XC121, XC131, XC141, XC142
History: WTM649A | HA7732 | 2SC2011
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031