Биполярный транзистор XB112 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: XB112
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.09 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 55 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO1
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам