ZT60 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZT60
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 38
Encapsulados: TO5
Búsqueda de reemplazo de ZT60
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
ZT60 datasheet
nzt605.pdf
January 2007 NZT605 NPN Darlington Transistor This device designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0A and high breakdown voltage. Sourced from process 06. 4 3 2 1 SOT-223 1. Base 2.4. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings * TC = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 110 V
Otros transistores... ZT403 , ZT403P , ZT404 , ZT404P , ZT41 , ZT42 , ZT43 , ZT44 , 8050 , ZT600 , ZT61 , ZT62 , ZT63 , ZT64 , ZT66 , ZT67 , ZT68 .
History: ZT3440 | BDT29C | 2N5691 | 2N1703 | 2SA1537
History: ZT3440 | BDT29C | 2N5691 | 2N1703 | 2SA1537
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609

