ZT60 - описание и поиск аналогов

 

ZT60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZT60

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 38

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для ZT60

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ZT60 даташит

 0.1. Size:81K  fairchild semi
 nzt605.pdf pdf_icon

ZT60

January 2007 NZT605 NPN Darlington Transistor This device designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0A and high breakdown voltage. Sourced from process 06. 4 3 2 1 SOT-223 1. Base 2.4. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings * TC = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 110 V

Другие транзисторы: ZT403, ZT403P, ZT404, ZT404P, ZT41, ZT42, ZT43, ZT44, 8050, ZT600, ZT61, ZT62, ZT63, ZT64, ZT66, ZT67, ZT68

 

 

 

 

↑ Back to Top
.