Справочник транзисторов. ZT60

 

Биполярный транзистор ZT60 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ZT60
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 38
   Корпус транзистора: TO5
 

 Аналог (замена) для ZT60

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ZT60 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:81K  fairchild semi
 nzt605.pdf pdf_icon

ZT60

January 2007NZT605NPN Darlington Transistor This device designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0A and high breakdown voltage. Sourced from process 06.4321 SOT-2231. Base 2.4. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings * TC = 25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 110 V

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: WTM882

 

 
Back to Top

 


 
.