2N539A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N539A
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 34 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
Tensión emisor-base (Veb): 28 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 0.2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Empaquetado / Estuche: TO10
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N539A
2N539A Datasheet (PDF)
5.1. 2n5397 2n5398.pdf 
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Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-20 B-20 01/99 2N5397, 2N5398 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25¡C ¥ Low-Noise Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage – 25 V ¥ High Power Gain Drain Source Voltage 25 V ¥ High Transconductance Continuous Forward Gate Current 10 mA Continuous Device Power Dissipation 300 mW ¥ Mixer
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
