2N539A Todos los transistores

 

2N539A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N539A
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 34 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
   Tensión emisor-base (Veb): 28 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.2 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO10
 

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2N539A PDF detailed specifications

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2N539A

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-20 B-20 01/99 2N5397, 2N5398 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Low-Noise Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power Gain Drain Source Voltage 25 V High Transconductance Continuous Forward Gate Current 10 mA Continuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer... See More ⇒

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History: 2N3634L

 

 
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