Биполярный транзистор 2N539A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N539A
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 28 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO10
2N539A Datasheet (PDF)
9.1. Size:91K interfet
2n5397 2n5398.pdf
2n5397 2n5398.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-20B-20 01/992N5397, 2N5398N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Low-NoiseReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power GainDrain Source Voltage 25 V High TransconductanceContinuous Forward Gate Current 10 mAContinuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer
Другие транзисторы... 2N5387 , 2N5388 , 2N5389 , 2N538A , 2N538M , 2N539 , 2N5390 , 2N5399 , A1013 , 2N54 , 2N540 , 2N5400 , 2N5401 , 2N5404 , 2N5405 , 2N5406 , 2N5407 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050