ZTX614 Todos los transistores

 

ZTX614 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZTX614

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20000

Encapsulados: TO92

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ZTX614 datasheet

 ..1. Size:40K  fairchild semi
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ZTX614

ZTX614 NPN Darlington Transistor These device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 0.5A and high breakdown voltage. Sourced from process 06. C TO-226 BE Absolute Maximum Ratings* TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V VCBO Collector-Base Voltage 120 V VEBO Emitter-Base

 9.1. Size:153K  diodes
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ZTX614

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER ZTX618 HIGH GAIN TRANSISTOR ISSUE 2 JULY 1995 T I II i i I IT I I i I V I I TI T i i i i E-Line I T 8 TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I I i I Di i i Di i i i T T T D i i I I i i e d, applied or pply of any ZTX618 ELECTRICAL CHARACT

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