ZTX614 Todos los transistores

 

ZTX614 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZTX614
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20000
   Paquete / Cubierta: TO92

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ZTX614 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:40K  fairchild semi
 ztx614.pdf

ZTX614 ZTX614

ZTX614NPN Darlington Transistor These device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 0.5A and high breakdown voltage. Sourced from process 06.CTO-226BEAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 100 VVCBO Collector-Base Voltage 120 VVEBO Emitter-Base

 9.1. Size:153K  diodes
 ztx618.pdf

ZTX614 ZTX614

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWERZTX618HIGH GAIN TRANSISTORISSUE 2 JULY 1995 T I II i i I IT I I i I V I I TI T i i i i E-Line I T 8TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I I i I Di i i Di i i i T T T D i i I I i i ed, applied orpply of anyZTX618ELECTRICAL CHARACT

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History: BSP52T1G | MD708 | BR300B

 

 
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