ZTX614 Todos los transistores

 

ZTX614 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZTX614
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20000
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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ZTX614 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:40K  fairchild semi
 ztx614.pdf pdf_icon

ZTX614

ZTX614NPN Darlington Transistor These device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 0.5A and high breakdown voltage. Sourced from process 06.CTO-226BEAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 100 VVCBO Collector-Base Voltage 120 VVEBO Emitter-Base

 9.1. Size:153K  diodes
 ztx618.pdf pdf_icon

ZTX614

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWERZTX618HIGH GAIN TRANSISTORISSUE 2 JULY 1995 T I II i i I IT I I i I V I I TI T i i i i E-Line I T 8TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I I i I Di i i Di i i i T T T D i i I I i i ed, applied orpply of anyZTX618ELECTRICAL CHARACT

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