Биполярный транзистор ZTX614 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ZTX614
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20000
Корпус транзистора: TO92
ZTX614 Datasheet (PDF)
0.1. ztx614.pdf 
Size:40K _fairchild_semi
ZTX614NPN Darlington Transistor These device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 0.5A and high breakdown voltage. Sourced from process 06.CTO-226BEAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 100 VVCBO Collector-Base Voltage 120 VVEBO Emitter-Base
9.1. ztx618.pdf Size:153K _diodes
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWERZTX618HIGH GAIN TRANSISTORISSUE 2 JULY 1995 T I II i i I IT I I i I V I I TI T i i i i E-Line I T 8TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I I i I Di i i Di i i i T T T D i i I I i i ed, applied orpply of anyZTX618ELECTRICAL CHARACT
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
