Аналоги ZTX614. Основные параметры
Наименование производителя: ZTX614
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20000
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для ZTX614
ZTX614 даташит
ztx614.pdf
ZTX614 NPN Darlington Transistor These device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 0.5A and high breakdown voltage. Sourced from process 06. C TO-226 BE Absolute Maximum Ratings* TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V VCBO Collector-Base Voltage 120 V VEBO Emitter-Base
ztx618.pdf
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER ZTX618 HIGH GAIN TRANSISTOR ISSUE 2 JULY 1995 T I II i i I IT I I i I V I I TI T i i i i E-Line I T 8 TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I I i I Di i i Di i i i T T T D i i I I i i e d, applied or pply of any ZTX618 ELECTRICAL CHARACT
Другие транзисторы... ZTX600B , ZTX601 , ZTX601A , ZTX601B , ZTX602 , ZTX603 , ZTX604 , ZTX605 , TIP3055 , ZTX649 , ZTX650 , ZTX651 , ZTX652 , ZTX653 , ZTX654 , ZTX655 , ZTX656 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor


