ZTX712 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZTX712
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 12000
Encapsulados: TO92
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ZTX712 datasheet
ztx718.pdf
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER ZTX718 HIGH GAIN TRANSISTOR ISSUE 4 MAY 1998 FEATURES * 6A Peak pulse current * Excellent hFE characteristics up to 6A (pulsed) * low saturation voltage * IC Cont 2.5A C APPLICATIONS B E * Power MOSFET gate driver in conjunction with E-Line complementary ZTX618 TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Collect
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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