Биполярный транзистор ZTX712 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ZTX712
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12000
Корпус транзистора: TO92
ZTX712 Datasheet (PDF)
9.1. Size:90K diodes
ztx718.pdf
ztx718.pdf
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWERZTX718HIGH GAIN TRANSISTORISSUE 4 MAY 1998FEATURES* 6A Peak pulse current* Excellent hFE characteristics up to 6A (pulsed)* low saturation voltage * IC Cont 2.5ACAPPLICATIONS B E* Power MOSFET gate driver in conjunction with E-Linecomplementary ZTX618TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITCollect
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050