Биполярный транзистор ZTX712 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ZTX712
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12000
Корпус транзистора: TO92
ZTX712 Datasheet (PDF)
9.1. Size:90K diodes
ztx718.pdf
ztx718.pdf
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWERZTX718HIGH GAIN TRANSISTORISSUE 4 MAY 1998FEATURES* 6A Peak pulse current* Excellent hFE characteristics up to 6A (pulsed)* low saturation voltage * IC Cont 2.5ACAPPLICATIONS B E* Power MOSFET gate driver in conjunction with E-Linecomplementary ZTX618TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITCollect
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
