BCV63 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCV63

Código: D95

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 110

Encapsulados: SOT143B

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BCV63 datasheet

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BCV63

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D071 BCV63; BCV63B NPN general purpose double transistors 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 10 Philips Semiconductors Product specification NPN general purpose double transistors BCV63; BCV63B FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 and 6 V). 1 collector TR2 and base

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BCV63

BCV63; BCV63B NPN general-purpose double transistors Rev. 4 4 August 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN general-purpose double transistors in a small SOT143B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA BCV63 SOT143B - - BCV63B BCV64B 1.2 Features and benefits Low cu

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