BCV63. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCV63

Маркировка: D95

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110

Корпус транзистора: SOT143B

 Аналоги (замена) для BCV63

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCV63 даташит

 ..1. Size:52K  philips
 bcv63 bcv63b 3.pdf pdf_icon

BCV63

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D071 BCV63; BCV63B NPN general purpose double transistors 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 10 Philips Semiconductors Product specification NPN general purpose double transistors BCV63; BCV63B FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 and 6 V). 1 collector TR2 and base

 ..2. Size:117K  philips
 bcv63 bcv63b.pdf pdf_icon

BCV63

BCV63; BCV63B NPN general-purpose double transistors Rev. 4 4 August 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN general-purpose double transistors in a small SOT143B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA BCV63 SOT143B - - BCV63B BCV64B 1.2 Features and benefits Low cu

Другие транзисторы: 2PB709A, 2PB710A, 2PC4081, 2PC4617, 2PC4617J, 2PC945, 2PD1820A, BCV63B, TIP142, BCV64B, BCV65, BDL31, BDL32, BDP31, BDP32, BFE505, BFE520