BDL31 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDL31

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 130 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT223

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BDL31 datasheet

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BDL31

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D087 BDL31 NPN BISS-transistor Product specification 1999 Apr 28 Supersedes data of 1998 Aug 03 Philips Semiconductors Product specification NPN BISS-transistor BDL31 FEATURES PINNING High current (max. 5 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 10 V) 1 base Low collector-emitter saturation voltage ensures 2 not co

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