Справочник транзисторов. BDL31

 

Биполярный транзистор BDL31 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDL31
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT223
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BDL31 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  philips
 bdl31 4.pdf pdf_icon

BDL31

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D087BDL31NPN BISS-transistorProduct specification 1999 Apr 28Supersedes data of 1998 Aug 03Philips Semiconductors Product specificationNPN BISS-transistor BDL31FEATURES PINNING High current (max. 5 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 10 V)1 base Low collector-emitter saturation voltage ensures2 not co

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.