BDL31. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDL31

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для BDL31

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDL31 даташит

 ..1. Size:48K  philips
 bdl31 4.pdf pdf_icon

BDL31

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D087 BDL31 NPN BISS-transistor Product specification 1999 Apr 28 Supersedes data of 1998 Aug 03 Philips Semiconductors Product specification NPN BISS-transistor BDL31 FEATURES PINNING High current (max. 5 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 10 V) 1 base Low collector-emitter saturation voltage ensures 2 not co

Другие транзисторы: 2PC4617, 2PC4617J, 2PC945, 2PD1820A, BCV63B, BCV63, BCV64B, BCV65, 2SC828, BDL32, BDP31, BDP32, BFE505, BFE520, BFG10, BFG10W-X, BFG11