BDP31 Todos los transistores

 

BDP31 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDP31
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 70 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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BDP31 Datasheet (PDF)

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BDP31

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D087BDP31NPN medium power transistor1999 Apr 23Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 10Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor BDP31FEATURES PINNING High current (max. 3 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base2,4 collectorAPPLICATIONS3 emitter

Otros transistores... 2PC945 , 2PD1820A , BCV63B , BCV63 , BCV64B , BCV65 , BDL31 , BDL32 , 2SD1555 , BDP32 , BFE505 , BFE520 , BFG10 , BFG10W-X , BFG11 , BFG11-X , BFG11W-X .

History: 2SB717GP | 2SA2077 | MJE13003N5 | BDL31 | 2SC305 | BUL128D-B | 2SC2694

 

 
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