BDP31 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDP31

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: SOT223

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BDP31 datasheet

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BDP31

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D087 BDP31 NPN medium power transistor 1999 Apr 23 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 10 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistor BDP31 FEATURES PINNING High current (max. 3 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V). 1 base 2,4 collector APPLICATIONS 3 emitter

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