Биполярный транзистор BDP31 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDP31
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SOT223
BDP31 Datasheet (PDF)
..1. Size:49K philips
bdp31 3.pdf
bdp31 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D087BDP31NPN medium power transistor1999 Apr 23Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 10Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor BDP31FEATURES PINNING High current (max. 3 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base2,4 collectorAPPLICATIONS3 emitter
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050