BDP31. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDP31

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для BDP31

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDP31 даташит

 ..1. Size:49K  philips
 bdp31 3.pdf pdf_icon

BDP31

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D087 BDP31 NPN medium power transistor 1999 Apr 23 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 10 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistor BDP31 FEATURES PINNING High current (max. 3 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V). 1 base 2,4 collector APPLICATIONS 3 emitter

Другие транзисторы: 2PC945, 2PD1820A, BCV63B, BCV63, BCV64B, BCV65, BDL31, BDL32, S9018, BDP32, BFE505, BFE520, BFG10, BFG10W-X, BFG11, BFG11-X, BFG11W-X