Справочник транзисторов. BDP31

 

Биполярный транзистор BDP31 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDP31
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SOT223
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BDP31 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  philips
 bdp31 3.pdf pdf_icon

BDP31

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D087BDP31NPN medium power transistor1999 Apr 23Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 10Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor BDP31FEATURES PINNING High current (max. 3 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base2,4 collectorAPPLICATIONS3 emitter

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 3DG2413K | 2SA815 | RT3YB7M | BC848CW-G | 2SA795A | 2SA1706T-AN

 

 
Back to Top

 


 
.