BDP32 Todos los transistores

 

BDP32 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDP32
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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BDP32 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  philips
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BDP32

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D087BDP32PNP medium power transistor1999 Apr 23Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 10Philips Semiconductors Product specificationPNP medium power transistor BDP32FEATURES PINNING High current (max. 3 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base2,4 collectorAPPLICATIONS3 emitter

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