BDP32 Todos los transistores

 

BDP32 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDP32

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: SOT223

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BDP32 datasheet

 ..1. Size:49K  philips
 bdp32 3.pdf pdf_icon

BDP32

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D087 BDP32 PNP medium power transistor 1999 Apr 23 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 10 Philips Semiconductors Product specification PNP medium power transistor BDP32 FEATURES PINNING High current (max. 3 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V). 1 base 2,4 collector APPLICATIONS 3 emitter

Otros transistores... 2PD1820A , BCV63B , BCV63 , BCV64B , BCV65 , BDL31 , BDL32 , BDP31 , TIP32C , BFE505 , BFE520 , BFG10 , BFG10W-X , BFG11 , BFG11-X , BFG11W-X , BFG21W .

History: 2N5321O

 

 

 

 

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