Справочник транзисторов. BDP32

 

Биполярный транзистор BDP32 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDP32
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для BDP32

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDP32 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  philips
 bdp32 3.pdf pdf_icon

BDP32

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D087BDP32PNP medium power transistor1999 Apr 23Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 10Philips Semiconductors Product specificationPNP medium power transistor BDP32FEATURES PINNING High current (max. 3 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base2,4 collectorAPPLICATIONS3 emitter

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: CSD1168P | 2N1722-1 | 2SA2004 | DMBT5401 | MPSU06F

 

 
Back to Top

 


 
.