BDP32 - описание и поиск аналогов

 

BDP32. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDP32

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для BDP32

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDP32 даташит

 ..1. Size:49K  philips
 bdp32 3.pdf pdf_icon

BDP32

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D087 BDP32 PNP medium power transistor 1999 Apr 23 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 10 Philips Semiconductors Product specification PNP medium power transistor BDP32 FEATURES PINNING High current (max. 3 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V). 1 base 2,4 collector APPLICATIONS 3 emitter

Другие транзисторы: 2PD1820A, BCV63B, BCV63, BCV64B, BCV65, BDL31, BDL32, BDP31, TIP32C, BFE505, BFE520, BFG10, BFG10W-X, BFG11, BFG11-X, BFG11W-X, BFG21W

 

 

 

 

↑ Back to Top
.