Справочник транзисторов. BDP32

 

Биполярный транзистор BDP32 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDP32
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для BDP32

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDP32 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  philips
 bdp32 3.pdf pdf_icon

BDP32

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D087BDP32PNP medium power transistor1999 Apr 23Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 10Philips Semiconductors Product specificationPNP medium power transistor BDP32FEATURES PINNING High current (max. 3 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base2,4 collectorAPPLICATIONS3 emitter

Другие транзисторы... 2PD1820A , BCV63B , BCV63 , BCV64B , BCV65 , BDL31 , BDL32 , BDP31 , 2SC1740 , BFE505 , BFE520 , BFG10 , BFG10W-X , BFG11 , BFG11-X , BFG11W-X , BFG21W .

 

 
Back to Top

 


 
.