BFE505 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFE505

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 8 V

Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.018 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 9000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: SOT353

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BFE505 datasheet

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BFE505

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFE505 NPN wideband differential transistor 1996 Oct 08 Product specification Supersedes data of 1995 Sep 04 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN wideband differential transistor BFE505 FEATURES PINNING - SOT353B Small size SYMBOL PIN DESCRIPTION High power gain at low bias current and

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