BFE505 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFE505
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 8 V
Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.018 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 9000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: SOT353
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BFE505 Datasheet (PDF)
bfe505 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFE505NPN wideband differentialtransistor1996 Oct 08Product specificationSupersedes data of 1995 Sep 04File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN wideband differential transistor BFE505FEATURES PINNING - SOT353B Small sizeSYMBOL PIN DESCRIPTION High power gain at low bias current and
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