Справочник транзисторов. BFE505

 

Биполярный транзистор BFE505 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFE505
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.018 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT353
 

 Аналог (замена) для BFE505

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFE505 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  philips
 bfe505 2.pdf pdf_icon

BFE505

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFE505NPN wideband differentialtransistor1996 Oct 08Product specificationSupersedes data of 1995 Sep 04File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN wideband differential transistor BFE505FEATURES PINNING - SOT353B Small sizeSYMBOL PIN DESCRIPTION High power gain at low bias current and

Другие транзисторы... BCV63B , BCV63 , BCV64B , BCV65 , BDL31 , BDL32 , BDP31 , BDP32 , 2SC5198 , BFE520 , BFG10 , BFG10W-X , BFG11 , BFG11-X , BFG11W-X , BFG21W , 2SB1366F-O .

 

 
Back to Top

 


 
.