BFE505. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFE505

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.018 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT353

 Аналоги (замена) для BFE505

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFE505 даташит

 ..1. Size:42K  philips
 bfe505 2.pdf pdf_icon

BFE505

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFE505 NPN wideband differential transistor 1996 Oct 08 Product specification Supersedes data of 1995 Sep 04 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN wideband differential transistor BFE505 FEATURES PINNING - SOT353B Small size SYMBOL PIN DESCRIPTION High power gain at low bias current and

Другие транзисторы: BCV63B, BCV63, BCV64B, BCV65, BDL31, BDL32, BDP31, BDP32, MJE350, BFE520, BFG10, BFG10W-X, BFG11, BFG11-X, BFG11W-X, BFG21W, 2SB1366F-O