BFG10W-X Todos los transistores

 

BFG10W-X . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFG10W-X
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: SOT343
 

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BFG10W-X Datasheet (PDF)

 8.1. Size:240K  philips
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BFG10W-X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG10W/XUHF power transistorProduct specification 1995 Sep 22NXP Semiconductors Product specificationUHF power transistor BFG10W/XFEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin Small size discrete power amplifier lfpage4 3dual-emitter SOT343N package. 900 MHz an

 8.2. Size:48K  philips
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BFG10W-X

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG10W/XUHF power transistor1995 Sep 22Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BFG10W/XFEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistorencapsulated in a plastic, 4-pinfpage Small size discrete power amplifier 4 3dua

 8.3. Size:240K  nxp
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BFG10W-X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG10W/XUHF power transistorProduct specification 1995 Sep 22NXP Semiconductors Product specificationUHF power transistor BFG10W/XFEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin Small size discrete power amplifier lfpage4 3dual-emitter SOT343N package. 900 MHz an

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History: 40537L | 2N1506 | BUYP53 | MMBT5401-HAF | 2SC3930 | HEPS5025 | 2SC4360

 

 
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