BFG10W-X. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BFG10W-X
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: SOT343
Аналоги (замена) для BFG10W-X
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BFG10W-X даташит
bfg10wx.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG10W/X UHF power transistor Product specification 1995 Sep 22 NXP Semiconductors Product specification UHF power transistor BFG10W/X FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin Small size discrete power amplifier lfpage 4 3 dual-emitter SOT343N package. 900 MHz an
bfg10wx 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG10W/X UHF power transistor 1995 Sep 22 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BFG10W/X FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin fpage Small size discrete power amplifier 4 3 dua
bfg10wx.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG10W/X UHF power transistor Product specification 1995 Sep 22 NXP Semiconductors Product specification UHF power transistor BFG10W/X FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin Small size discrete power amplifier lfpage 4 3 dual-emitter SOT343N package. 900 MHz an
Другие транзисторы: BCV65, BDL31, BDL32, BDP31, BDP32, BFE505, BFE520, BFG10, TIP120, BFG11, BFG11-X, BFG11W-X, BFG21W, 2SB1366F-O, BFG31, BFG403W, BFG425W
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet



