BFG10W-X - описание и поиск аналогов

 

BFG10W-X. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFG10W-X

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT343

 Аналоги (замена) для BFG10W-X

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG10W-X даташит

 8.1. Size:240K  philips
bfg10wx.pdfpdf_icon

BFG10W-X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG10W/X UHF power transistor Product specification 1995 Sep 22 NXP Semiconductors Product specification UHF power transistor BFG10W/X FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin Small size discrete power amplifier lfpage 4 3 dual-emitter SOT343N package. 900 MHz an

 8.2. Size:48K  philips
bfg10wx 1.pdfpdf_icon

BFG10W-X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG10W/X UHF power transistor 1995 Sep 22 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BFG10W/X FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin fpage Small size discrete power amplifier 4 3 dua

 8.3. Size:240K  nxp
bfg10wx.pdfpdf_icon

BFG10W-X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG10W/X UHF power transistor Product specification 1995 Sep 22 NXP Semiconductors Product specification UHF power transistor BFG10W/X FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin Small size discrete power amplifier lfpage 4 3 dual-emitter SOT343N package. 900 MHz an

Другие транзисторы: BCV65, BDL31, BDL32, BDP31, BDP32, BFE505, BFE520, BFG10, TIP120, BFG11, BFG11-X, BFG11W-X, BFG21W, 2SB1366F-O, BFG31, BFG403W, BFG425W

 

 

 

 

↑ Back to Top
.