BFG11-X Todos los transistores

 

BFG11-X Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFG11-X

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 8 V

Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: SOT143

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BFG11-X datasheet

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BFG11-X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG11W/X NPN 2 GHz power transistor 1996 Jun 04 Product specification Supersedes data of September 1995 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 2 GHz power transistor BFG11W/X FEATURES PINNING - SOT343 High power gain PIN DESCRIPTION High efficiency 1 collector Small size discrete po

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BFG11-X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG11; BFG11/X NPN 2 GHz RF power transistor 1995 Apr 07 Product specification Supersedes data of November 1992 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Philips Semiconductors Product specification NPN 2 GHz RF power transistor BFG11; BFG11/X FEATURES DESCRIPTION High power gain NPN silicon planar epitaxial transistors e

Otros transistores... BDL32 , BDP31 , BDP32 , BFE505 , BFE520 , BFG10 , BFG10W-X , BFG11 , A42 , BFG11W-X , BFG21W , 2SB1366F-O , BFG31 , BFG403W , BFG425W , BFG505 , BFG505W .

History: 2SB1063 | BC618

 

 

 

 

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