Справочник транзисторов. BFG11-X

 

Биполярный транзистор BFG11-X Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFG11-X
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT143
 

 Аналог (замена) для BFG11-X

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG11-X Datasheet (PDF)

 9.1. Size:79K  philips
 bfg11wx.pdf pdf_icon

BFG11-X

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG11W/XNPN 2 GHz power transistor1996 Jun 04Product specificationSupersedes data of September 1995File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 2 GHz power transistor BFG11W/XFEATURES PINNING - SOT343 High power gainPIN DESCRIPTION High efficiency1 collector Small size discrete po

 9.2. Size:62K  philips
 bfg11 bfg11x 3.pdf pdf_icon

BFG11-X

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG11; BFG11/XNPN 2 GHz RF power transistor1995 Apr 07Product specificationSupersedes data of November 1992File under Discrete Semiconductors, SC14Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationNPN 2 GHz RF power transistor BFG11; BFG11/XFEATURES DESCRIPTION High power gain NPN silicon planar epitaxial transistors e

Другие транзисторы... BDL32 , BDP31 , BDP32 , BFE505 , BFE520 , BFG10 , BFG10W-X , BFG11 , 2N2907 , BFG11W-X , BFG21W , 2SB1366F-O , BFG31 , BFG403W , BFG425W , BFG505 , BFG505W .

 

 
Back to Top

 


 
.