BFG11-X. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFG11-X

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT143

 Аналоги (замена) для BFG11-X

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG11-X даташит

 9.1. Size:79K  philips
 bfg11wx.pdf pdf_icon

BFG11-X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG11W/X NPN 2 GHz power transistor 1996 Jun 04 Product specification Supersedes data of September 1995 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 2 GHz power transistor BFG11W/X FEATURES PINNING - SOT343 High power gain PIN DESCRIPTION High efficiency 1 collector Small size discrete po

 9.2. Size:62K  philips
 bfg11 bfg11x 3.pdf pdf_icon

BFG11-X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG11; BFG11/X NPN 2 GHz RF power transistor 1995 Apr 07 Product specification Supersedes data of November 1992 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Philips Semiconductors Product specification NPN 2 GHz RF power transistor BFG11; BFG11/X FEATURES DESCRIPTION High power gain NPN silicon planar epitaxial transistors e

Другие транзисторы: BDL32, BDP31, BDP32, BFE505, BFE520, BFG10, BFG10W-X, BFG11, A42, BFG11W-X, BFG21W, 2SB1366F-O, BFG31, BFG403W, BFG425W, BFG505, BFG505W