BFG11W-X Todos los transistores

 

BFG11W-X . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFG11W-X
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.76 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 8 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: SOT343
 

 Búsqueda de reemplazo de BFG11W-X

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BFG11W-X Datasheet (PDF)

 8.1. Size:79K  philips
 bfg11wx.pdf pdf_icon

BFG11W-X

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG11W/XNPN 2 GHz power transistor1996 Jun 04Product specificationSupersedes data of September 1995File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 2 GHz power transistor BFG11W/XFEATURES PINNING - SOT343 High power gainPIN DESCRIPTION High efficiency1 collector Small size discrete po

 9.1. Size:62K  philips
 bfg11 bfg11x 3.pdf pdf_icon

BFG11W-X

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG11; BFG11/XNPN 2 GHz RF power transistor1995 Apr 07Product specificationSupersedes data of November 1992File under Discrete Semiconductors, SC14Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationNPN 2 GHz RF power transistor BFG11; BFG11/XFEATURES DESCRIPTION High power gain NPN silicon planar epitaxial transistors e

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: SK3054 | BFX51 | HD122 | 40327V1 | MT1075 | 2SC6114T1GP | 2SA856A

 

 
Back to Top

 


 
.