Справочник транзисторов. BFG11W-X

 

Биполярный транзистор BFG11W-X Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFG11W-X
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.76 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT343
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BFG11W-X Datasheet (PDF)

 8.1. Size:79K  philips
 bfg11wx.pdf pdf_icon

BFG11W-X

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG11W/XNPN 2 GHz power transistor1996 Jun 04Product specificationSupersedes data of September 1995File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 2 GHz power transistor BFG11W/XFEATURES PINNING - SOT343 High power gainPIN DESCRIPTION High efficiency1 collector Small size discrete po

 9.1. Size:62K  philips
 bfg11 bfg11x 3.pdf pdf_icon

BFG11W-X

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG11; BFG11/XNPN 2 GHz RF power transistor1995 Apr 07Product specificationSupersedes data of November 1992File under Discrete Semiconductors, SC14Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationNPN 2 GHz RF power transistor BFG11; BFG11/XFEATURES DESCRIPTION High power gain NPN silicon planar epitaxial transistors e

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: MQ5857 | 2SD1348R | ZT67 | 2SC5676 | BCY58-7 | ZTX694B | 3DD201

 

 
Back to Top

 


 
.