BFG21W Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFG21W

Código: P1

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión colector-emisor (Vce): 4.5 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 18000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: SOT343R

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BFG21W datasheet

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D124 BFG21W UHF power transistor Product specification 1998 Jul 06 Supersedes data of 1997 Nov 21 NXP Semiconductors Product specification UHF power transistor BFG21W FEATURES PINNING High power gain PIN DESCRIPTION High efficiency 1, 3 emitter 1.9 GHz operating area 2base Linear and non-linear operation. 4 collector APPL

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DISCRETE SEMICONDUCTORS M3D124 BFG21W UHF power transistor 1998 Jul 06 Product specification Supersedes data of 1997 Nov 21 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BFG21W FEATURES PINNING High power gain PIN DESCRIPTION High efficiency 1, 3 emitter 1.9 GHz operating area 2 base Linear and non-li

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