BFG21W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFG21W

Маркировка: P1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT343R

 Аналоги (замена) для BFG21W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG21W даташит

 ..1. Size:217K  philips
 bfg21w.pdf pdf_icon

BFG21W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D124 BFG21W UHF power transistor Product specification 1998 Jul 06 Supersedes data of 1997 Nov 21 NXP Semiconductors Product specification UHF power transistor BFG21W FEATURES PINNING High power gain PIN DESCRIPTION High efficiency 1, 3 emitter 1.9 GHz operating area 2base Linear and non-linear operation. 4 collector APPL

 ..2. Size:88K  philips
 bfg21w 3.pdf pdf_icon

BFG21W

DISCRETE SEMICONDUCTORS M3D124 BFG21W UHF power transistor 1998 Jul 06 Product specification Supersedes data of 1997 Nov 21 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BFG21W FEATURES PINNING High power gain PIN DESCRIPTION High efficiency 1, 3 emitter 1.9 GHz operating area 2 base Linear and non-li

 ..3. Size:95K  philips
 bfg21w 800drv2.pdf pdf_icon

BFG21W

 ..4. Size:111K  philips
 bfg21w 1880drv.pdf pdf_icon

BFG21W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BDP32, BFE505, BFE520, BFG10, BFG10W-X, BFG11, BFG11-X, BFG11W-X, BD333, 2SB1366F-O, BFG31, BFG403W, BFG425W, BFG505, BFG505W, BFG520, BFG520W