BFG403W . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFG403W
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.016 W
Tensión colector-base (Vcb): 10 V
Tensión colector-emisor (Vce): 4.5 V
Tensión emisor-base (Veb): 1 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.0036 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 17000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.17 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: SOT343R
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BFG403W
BFG403W Datasheet (PDF)
bfg403w.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG403WNPN 17 GHz wideband transistorProduct specification 1998 Mar 11Supersedes data of 1997 Oct 29NXP Semiconductors Product specificationNPN 17 GHz wideband transistor BFG403WFEATURES PINNING Low currentPIN DESCRIPTION Very high power gain1emitter Low noise figure2 base High transition frequency3emitter Very
bfg403w 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSBFG403WNPN 17 GHz wideband transistorProduct specification 1998 Mar 11Supersedes data of 1997 Oct 29File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 17 GHz wideband transistor BFG403WFEATURES PINNING Low currentPIN DESCRIPTION Very high power gain1 emitter Low noise figure2 base High transit
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
