BFG403W Todos los transistores

 

BFG403W . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFG403W
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.016 W
   Tensión colector-base (Vcb): 10 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 4.5 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.0036 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 17000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.17 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: SOT343R
 

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BFG403W Datasheet (PDF)

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BFG403W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG403WNPN 17 GHz wideband transistorProduct specification 1998 Mar 11Supersedes data of 1997 Oct 29NXP Semiconductors Product specificationNPN 17 GHz wideband transistor BFG403WFEATURES PINNING Low currentPIN DESCRIPTION Very high power gain1emitter Low noise figure2 base High transition frequency3emitter Very

 ..2. Size:86K  philips
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BFG403W

DISCRETE SEMICONDUCTORSBFG403WNPN 17 GHz wideband transistorProduct specification 1998 Mar 11Supersedes data of 1997 Oct 29File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 17 GHz wideband transistor BFG403WFEATURES PINNING Low currentPIN DESCRIPTION Very high power gain1 emitter Low noise figure2 base High transit

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History: D7ST4517 | BF342

 

 
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