BFG403W Todos los transistores

 

BFG403W Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFG403W

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.016 W

Tensión colector-base (Vcb): 10 V

Tensión colector-emisor (Vce): 4.5 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.0036 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 17000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.17 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: SOT343R

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BFG403W datasheet

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BFG403W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG403W NPN 17 GHz wideband transistor Product specification 1998 Mar 11 Supersedes data of 1997 Oct 29 NXP Semiconductors Product specification NPN 17 GHz wideband transistor BFG403W FEATURES PINNING Low current PIN DESCRIPTION Very high power gain 1emitter Low noise figure 2 base High transition frequency 3emitter Very

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BFG403W

DISCRETE SEMICONDUCTORS BFG403W NPN 17 GHz wideband transistor Product specification 1998 Mar 11 Supersedes data of 1997 Oct 29 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 17 GHz wideband transistor BFG403W FEATURES PINNING Low current PIN DESCRIPTION Very high power gain 1 emitter Low noise figure 2 base High transit

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