Биполярный транзистор BFG403W - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFG403W
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.016 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.0036 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 17000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.17 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT343R
BFG403W Datasheet (PDF)
bfg403w.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG403WNPN 17 GHz wideband transistorProduct specification 1998 Mar 11Supersedes data of 1997 Oct 29NXP Semiconductors Product specificationNPN 17 GHz wideband transistor BFG403WFEATURES PINNING Low currentPIN DESCRIPTION Very high power gain1emitter Low noise figure2 base High transition frequency3emitter Very
bfg403w 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSBFG403WNPN 17 GHz wideband transistorProduct specification 1998 Mar 11Supersedes data of 1997 Oct 29File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 17 GHz wideband transistor BFG403WFEATURES PINNING Low currentPIN DESCRIPTION Very high power gain1 emitter Low noise figure2 base High transit
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050