BFG403W - описание и поиск аналогов

 

BFG403W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFG403W

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.016 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.0036 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 17000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.17 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT343R

 Аналоги (замена) для BFG403W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG403W даташит

 ..1. Size:369K  philips
 bfg403w.pdf pdf_icon

BFG403W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG403W NPN 17 GHz wideband transistor Product specification 1998 Mar 11 Supersedes data of 1997 Oct 29 NXP Semiconductors Product specification NPN 17 GHz wideband transistor BFG403W FEATURES PINNING Low current PIN DESCRIPTION Very high power gain 1emitter Low noise figure 2 base High transition frequency 3emitter Very

 ..2. Size:86K  philips
 bfg403w 4.pdf pdf_icon

BFG403W

DISCRETE SEMICONDUCTORS BFG403W NPN 17 GHz wideband transistor Product specification 1998 Mar 11 Supersedes data of 1997 Oct 29 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 17 GHz wideband transistor BFG403W FEATURES PINNING Low current PIN DESCRIPTION Very high power gain 1 emitter Low noise figure 2 base High transit

Другие транзисторы: BFG10, BFG10W-X, BFG11, BFG11-X, BFG11W-X, BFG21W, 2SB1366F-O, BFG31, BC547, BFG425W, BFG505, BFG505W, BFG520, BFG520W, BFG590, BFG590W, BFG591

 

 

 

 

↑ Back to Top
.