BFM505 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFM505
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 8 V
Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.018 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 9000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.31 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: SOT363
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BFM505 datasheet
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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFM505 Dual NPN wideband transistor 1996 Oct 08 Product specification Supersedes data of 1995 Sep 04 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification Dual NPN wideband transistor BFM505 FEATURES PINNING - SOT363A Small size PIN SYMBOL DESCRIPTION Temperature and hFE matched 1 b1 base 1 Low noise
bfm505.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFM505 Dual NPN wideband transistor Product specification 1996 Oct 08 Supersedes data of 1995 Sep 04 NXP Semiconductors Product specification Dual NPN wideband transistor BFM505 FEATURES PINNING - SOT363A Small size PIN SYMBOL DESCRIPTION Temperature and hFE matched 1 b1 base 1 Low noise and high gain 2 e1 emitter 1 High gain
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